長飛先進第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目落戶光谷
助力打造化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地
8月25日，東湖高新區(qū)管委會與長飛先進半導(dǎo)體簽署了第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目合作協(xié)議書。
長飛先進第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目總投資預(yù)計超過200億元，其中項目一期總投資100億元，可年產(chǎn)36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設(shè)計、晶圓制造、封裝等 ，將助力武漢打造國內(nèi)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地。
長飛先進半導(dǎo)體生產(chǎn)現(xiàn)場
安徽長飛先進半導(dǎo)體有限公司專注于碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造，擁有國內(nèi)一流的產(chǎn)線設(shè)備和先進的配套系統(tǒng)，具備從外延生長、器件設(shè)計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力。
原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：總投資超200億！長飛先進半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地落戶光谷
