Dry Chemicals 近日開發(fā)出一種工藝可以將功率半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）晶圓的制造成本降低 20-30%。該工藝在晶錠上進(jìn)行凹槽加工，使晶圓切片更平整，減少了晶圓表面研磨、拋光等后處理所需的步驟。該公司將于 10 月份開始晶圓代加工和制造設(shè)備對(duì)外銷售，預(yù)計(jì)第一年銷售 5 至 10 臺(tái)設(shè)備。
預(yù)先用磨石在晶錠要切割的位置處切割出圓周凹槽，這些凹槽起到引導(dǎo)鋼鋸的作用，從而可以更精確地切割晶片。"SiC 晶體特別硬，切割時(shí)會(huì)發(fā)生漂移。如果有凹槽，砂粒可以有效地進(jìn)入，從而很難發(fā)生漂移。"通過(guò)這樣的方法最大限度地減少對(duì)晶片表面的損傷。
對(duì)于厚度為 15 毫米的硅錠，可以切割 20 個(gè)凹槽，"磨石最多可以切割 40 毫米。這樣的話，可以切割得到 75 片晶圓。"
另外，通常在切割后需要進(jìn)行斜角（斜面）工藝來(lái)修整每個(gè)晶片的邊緣，但據(jù)介紹："當(dāng)在晶錠上放置凹槽時(shí)也會(huì)形成斜角，因此不需要該工藝。而且，由于單晶圓加工變成批量加工，效率進(jìn)一步提高。"因此，成品只需鏡面研磨、化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）、清潔和切割后立即檢查即可。
"研磨后的 Ra（表面粗糙度）已達(dá)到 0.5 納米以下，而通常需要兩個(gè)階段的1.0納米（納米是1/10億）"。因此，通常需要兩步的 CMP 可以一步完成，從而減少了化學(xué)品的使用量以及研磨和拋光廢物的量。
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