依托于光刻機的光罩（Litho）工藝是半導(dǎo)體芯片加工流程中的核心工藝，光罩的層數(shù)是影響半導(dǎo)體芯片工藝復(fù)雜度及加工成本的關(guān)鍵指標(biāo)。當(dāng)代溝槽-場截止型 IGBT 一般采用 9-10 層光罩進(jìn)行加工。安建早于 2019 年即在國內(nèi)頂尖 8-inch 晶圓廠成功開發(fā)并量產(chǎn)了僅采用 7 層光罩工藝的第七代溝槽-場截止 IGBT 技術(shù)，是國內(nèi)第一家量產(chǎn)第七代 IGBT 的國產(chǎn)廠家，并完全擁有相關(guān)自主知識產(chǎn)權(quán)。
近期，安建將自有專利的第7層光罩工藝流程成功轉(zhuǎn)移至國內(nèi)頂級 12-inch IGBT 加工平臺，也是國內(nèi)首家推出基于7層光罩工藝的 12-inch 第七代 IGBT 的國產(chǎn)廠家。此項技術(shù)突破表征了安建在國內(nèi) IGBT 芯片及加工工藝設(shè)計方面的雙重技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。
下圖為安建采用 7 層光罩工藝的第七代 12-inch 1200V-25A IGBT 晶圓。
光罩層數(shù)的減少并未對器件性能、堅固性及可靠性造成任何影響。下圖為采用上述晶圓封裝的第七代 1200V-25A PIM 模塊，型號為 JG1A25P120DG2（pin-to-pin 兼容國外進(jìn)口的第七代 EasyPIM-1B? 模塊）。相應(yīng)的模塊產(chǎn)品已通過工業(yè)變頻及伺服驅(qū)動等客戶測試認(rèn)證。
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相應(yīng)模塊在某知名客戶 4kW 高頻電機變頻器（載頻16kHz）完全通過各類極限工況測試，測試結(jié)果如下：
驅(qū)動波形：
相間短路波形：
1s急減速測試波形：
原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：安建首發(fā)七層光罩12英寸第七代IGBT